ASML, TSMC ve Intel, 6×12 inç fotomasklar için iş birliği yapıyor

ASML, Intel, Samsung ve TSMC, 6×12 inç fotomasklara (retiküller) geçişi sağlamak için iş birliği yapıyor. Bu değişim, High-NA EUV litografi için kritik öneme sahip; çünkü daha büyük şablon, büyük çiplerin tek seferde basılmasına olanak tanıyacak. ASML, bu konuyu bu hafta yaptığı basın açıklamasında vurguladı.

Yüksek Çözünürlük ve Avantajları

High-NA EUV litografi, günümüzde kullanılan Low-NA EUV araçlarından önemli bir ilerleme kaydediyor. 0.55 sayısal açıklık ile High-NA sistemleri, 8nm tek pozlama çözünürlüğüne ulaşabiliyor. Bu, çip üreticilerinin daha küçük ve yoğun özellikleri tek bir pozisyonda şekillendirmesine olanak tanıyor. Böylece karmaşık Low-NA EUV çoklu desenleme yöntemleri yerine tek bir High-NA pozlama kullanılabiliyor. Bu durum, maske ve işlem adımlarının sayısını azaltarak üretim döngüsü sürelerini kısaltabilir.

Ancak bu iyileştirme, bazı önemli dezavantajları da beraberinde getiriyor. Geleneksel 0.33-NA EUV, hem yatay hem de dikey yönde 4 kat küçültme optikleri kullanırken, High-NA EUV, yalnızca 4 kat/8 kat anamorfik optikler kullanıyor. Bu, aynı maskenin yalnızca 26×16.5 mm yarım alanda pozlama yapabilmesini sağlıyor. Bu durum, büyük çiplerin iki High-NA pozlaması ile birleştirilerek ya da çoklu çipli tasarımlara bölünerek desenlenmesi gerektiği anlamına geliyor.

Yeni Fotomasklar ve Zorluklar

Dikiş ihtiyacını ortadan kaldırmak için endüstri, anamorfik optikleri telafi edecek daha büyük 6×12 inç fotomaskları araştırıyor. Bu maskalar, High-NA'nın 8X küçültme yönüne karşılık gelen retikül boyutunu iki katına çıkararak geleneksel 26×33 mm tam pozlama alanını geri kazandırmayı amaçlıyor. Ancak, 6×6 inç fotomasklar, 1990'lardan beri endüstri standardı olarak kabul ediliyor ve bu nedenle 6×12 inç retiküllerin benimsenmesi, mevcut format etrafında inşa edilmiş tüm maske üretim, maske işleme ve litografi altyapısında değişiklik gerektiriyor.

Maske üreticileri, AGC ve Hoya gibi, daha büyük altlıklar üretmek ve geniş bir alana uniform yansıtıcı EUV çok katmanları yerleştirmek için yeni veya modifiye ekipmanlara ihtiyaç duyacak. Ayrıca, maske atölyeleri daha büyük maskeleri desenlemek için yeni yazıcılar ve aşındırma araçları, yeni formatın hassas karakterizasyonu için de denetim ve metrologi sistemleri gerektirecek. Tüm bu değişiklikler, maske işleme altyapısında da yapılmak zorunda.

Geçiş Süreci ve Zaman Çizelgesi

6×12 inç retiküllere geçiş, ASML, Intel, Samsung ve TSMC tarafından desteklenen bir endüstri çabası. Ancak, bu geçişin yıllar alması bekleniyor ve High-NA EUV'nin mevcut 6×6 inç fotomasklar ile yüksek hacim üretimine girmesinden sonra gerçekleşecek. Intel, High-NA EUV tarayıcılarını belirli Intel 18A katmanları için kullanıyor ve Samsung'un 2028 yılına kadar DRAM yüksek hacim üretimine High-NA EUV'yi entegre etmesi planlanıyor. TSMC ise 2030 yılında bu teknolojiyi ileri düğüm üretimi için kullanmayı hedefliyor.

Sonuç olarak, 6×6 inç ve 6×12 inç fotomaskların, yüksek hacim üretiminde bir arada bulunması muhtemel. 6×6 inç retiküller, çoğu müşteri işlemcisi için yeterli olacaktır, ancak 6×12 inç maskeler, yüksek performanslı AI hızlandırıcıları ve veri merkezi CPU'ları gibi daha büyük tasarımlar için önemli bir avantaj sağlayabilir.